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  • 3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe

    3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的非制冷紅外光電探測器，具有優秀的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的佳性能。波長分割可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

    更新時間：2024-12-05
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  • 10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um光電探測器

    10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um光電探測器 InGaAs PIN高速光探測器陣列芯片

    更新時間：2025-11-10
    產品型號：
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  • 100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um光電

    100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um光電探測器 InGaAs PIN高速光探測器陣列芯片

    更新時間：2025-11-10
    產品型號：
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  • 2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um（光電探測器）

    2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um（光電探測器） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片

    更新時間：2025-11-11
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  • High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um（探測器）

    High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um（探測器） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片

    更新時間：2025-11-13
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