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  • 145GHz光電探測器模塊(單模光纖)

    145GHz光電探測器模塊(單模光纖) 產品總覽 該產品是為數據通信（ 1T/bs PAM），電信和微波光子應用而研發的145GHz超快光電探測器模塊。

    更新時間：2024-12-06
    產品型號：
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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm APD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。

    更新時間：2024-12-06
    產品型號：
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  • 200um InGaAs APD Chip φ200um（銦鎵砷）

    200um InGaAs APD Chip φ200um（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片

    更新時間：2025-10-29
    產品型號：
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  • 1064nm 四象限Si光電探測器( 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W)

    1064nm 四象限Si光電探測器( 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W) 產品應用 ● 激光瞄準、制導跟蹤及探索裝置 ● 激光微定位、位移監控等精密測量系統

    更新時間：2024-12-05
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  • 硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18

    硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm，適合于生物醫學和分析應用。 這種Si APD設計為雙擴散“穿透式”結構，可在400和1000 nm之間提供高響應度，以及在所有波長處都極快的上升和下降時間。

    更新時間：2024-12-05
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